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通用去膠方案
2023-08-10

通用去除劑在去膠發生困難的情況下（例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后），超聲或兆聲清洗會對去除光刻膠帶來很大的幫助。但是，在此過程中必須保護襯...
蝕刻工藝的精確計時
2023-08-10

對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數的良好控制之間取得平衡。 “隨著設計規則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉向非常快速的...
離子束刻蝕（IBE）技術研究
2023-08-09

1.離子束刻蝕（IBE）技術的原理？離子束刻蝕（IBE，Ion Beam Etching）也稱為離子銑（IBM，Ion Beam Milling），也有人稱之為離子濺射刻...
刻蝕剖面 Etch Cross-section
2023-08-09

刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面：各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和縱向）以相同的...
針尖光刻技術
2023-08-08

我們知道半導體工業的發展有一個很有名的“摩爾定律”，而保證半導體工業遵循“摩爾定律”發展的基石是光刻技術。光刻技術的發展始終有都有一個重要的...
影響刻蝕效果的因素
2023-08-08

ICP 工藝中影響刻蝕效果的因素很多。工藝參數里包括源功率、偏壓功率、刻蝕氣體及流量、工作氣壓和溫度等。此外，掩膜的制備和反應室內壁的情況對刻...

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