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蝕刻工藝的精確計時
點擊量：408 日期：2023-08-10 編輯：硅時代
對于更緊密的幾何形狀和更薄的薄膜，需要在蝕刻速率與對其他操作參數的良好控制之間取得平衡。
“隨著設計規則的縮小，許多蝕刻工藝正在轉向非常快速的等離子體蝕刻工藝步驟，這需要對所有反應輸入進行高度精確的控制：功率、壓力、化學和溫度，”Finch 說，并指出優化等離子體的趨勢脈沖行為產生特定的離子與中性比，然后清除副產物。“此類條件的高級建模對于實現進一步的設備縮放至關重要。”
一段時間以來，蝕刻系統制造商一直在使用建模軟件來加快下一個節點的開發或提高產量。考慮到該過程及其所有變量的絕對復雜性，這并不奇怪。
“在開發下一節點技術時，根本沒有足夠的時間或足夠的晶圓來執行所有可能的工藝實驗，”Finch 說。“蝕刻設備設置組合的數量可能達到數百萬，甚至數十億，使用所有工藝可能性的強力晶圓開發是根本不可能的。”
當然，所有好的模型都是在實際芯片上驗證的。“一個準確的模型應該具有預測性，它應該解決用戶想要解決的目標問題，”Finch說。“每次根據模擬工作推薦工藝或設計變更時，實際的晶圓廠數據應該反映推薦的結果。在我們的案例中，我們已經能夠使用基于模型的結果準確預測流程變化的影響，并快速解決困難的流程和技術開發問題。”
工具供應商還致力于先進的蝕刻工藝，以更緊密地集成生產線，并將曾經的雙掩模級工藝（兩個光刻步驟）轉變為一個工藝，以簡化工藝并降低成本。
Bézard 說：“公司沒有采用現有的硬件來讓瑞士軍刀裝備得更好，而是引入了特定于應用程序的技術，例如解決尖端問題的新系統。” 目的是使彼此面對的兩條線靠得更近，目前這涉及線圖案化步驟，然后是切割掩模。“應用材料公司和其他公司正在推出的是一種在水平方向上直接蝕刻的方法。” 這樣的過程也可以加寬通孔。
