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通用去膠方案
點擊量：328 日期：2023-08-10 編輯：硅時代
在去膠發生困難的情況下（例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后），超聲或兆聲清洗會對去除光刻膠帶來很大的幫助。但是，在此過程中必須保護襯底上的敏感結構，否則將其破壞如下圖1所示，所以我們建議這種帶有高深寬比的結構的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加，去膠劑隨著長時間的發展其去膠效果在逐漸變弱。即使仍未達到理論上的飽和極限（遠高于50％的固含量），使用過溶液會隨著顆粒的富集并變得不透明，因此不再適合進行重復清洗。常見的做法是級聯清洗。在此過程中，去除劑用于三個不同的清洗步驟。將樣品放在第一個溶液池中，此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉移到第二個溶液池中，然后轉移到第三個槽中，在最后一個步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達到預定的溶解能力，就將第一個浴液丟棄，將第二個和第三個浴液向上移動一個位置。
圖1 LIGA工藝中使用超聲40k Hz（左圖）以及兆聲1M Hz處理后的結構損壞情況
除此之外的功能還可以通過強氧化酸來實現，例如王水，食人魚，硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環境保護方面（廢酸的處理），這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠，而且也會腐蝕襯底表面的其他材料。
在很多情況下，由于后續的工藝如過高的溫度、長時間干法刻是、高劑量的離子注入后都會導致光刻膠膜的交聯度太高或者光刻膠膜發生變性甚至碳化，從而無法利用濕法除光刻膠，這時候我們可以采用氧等離子去膠機進行去膠。 需要注意，市面上常見的等離子去膠機有射頻和微波等離子去膠機兩種。兩者的本質區別是等離子的激發方式不一樣，對應的反應方式也是有區別的，射頻等離子去膠機除了氧等離子與碳氫化合物反應外，還伴隨這比較重的離子轟擊樣品表面，會有一定的物理損傷，在光電子器件等對損傷敏感的應用中需要注意。另外，氧等離子體有可能會氧化襯底或者襯底表面的其他材料如鋁膜等。
