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mems加工工藝有輻射嗎?

點擊量:1817 日期:2020-07-14 編輯:硅時代

MEMS加工工藝是基于襯底(玻璃襯底,石英襯底,藍寶石襯底等等)進行的MEMS微加工工藝。根據(jù)襯底在工藝中不同的角色作用,硅微MEMS可分為表面加工和體加工兩類

表面加工是基于襯底表面進行的微結(jié)構(gòu)制作加工,不需要對襯底進行刻蝕加工,包括以下主要工藝:

犧牲層和結(jié)構(gòu)層的薄膜沉積技術(shù),包括熱氧化,CVDPVD,蒸發(fā)等常規(guī)IC工藝;

定義圖像光刻技術(shù);

犧牲層和結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移的刻蝕技術(shù),包括干法刻蝕和濕法刻蝕兩類;

犧牲層去除的釋放工藝,包括干法釋放和釋放釋放兩類

體加工則需要對襯底進行加工,制作三維立體微結(jié)構(gòu),除了常規(guī)薄膜沉積、光刻、刻蝕工藝外,重點需要對襯底加工的腐蝕工藝,如干法深硅刻蝕工藝和KOH釋放腐蝕工藝等;

正常的MEMS加工工藝是沒有輻射的,其中制作電阻材料時會用到離子注入摻雜工藝,會帶來一些輻射風(fēng)險,但設(shè)備制造商會對此輻射源進行隔離,設(shè)備正常運作時是不會有此風(fēng)險的,設(shè)備輻射源異常時則可能帶來輻射,此時就需要對設(shè)備進行維修保養(yǎng),以恢復(fù)設(shè)備正常狀況。


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