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微納加工工藝氧化cvd流程圖
點擊量：1785 日期：2020-03-26 編輯：硅時代
微納加工工藝沉積SiO2薄膜主要通過氧化和cvd兩種工藝方法。
氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發生反應生成SiO2，后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；
CVD工藝是氣態反應物通過化學反應，在基片表面生成SiO2薄膜的成膜工藝，其生成的SiO2來自反應物的化學反應分解，襯底不參與整個反應過程，不會消耗硅襯底材料；
