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PECVD工藝
點擊量：396 日期：2023-07-26 編輯：硅時代
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition）是等離子增強化學氣相淀積，該技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。
所謂等離子體，是指氣體在一定條件下受到高能激發，發生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態，這種形態就稱為等離子態。
PECVD的工藝原理：在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；其次，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散運輸，同時發生各反應物之間的次級反應；最后，達到生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。
PECVD的優勢：
1、基本溫度低（300-500°C）；
2、沉積速率快；
3、成膜質量好，針孔少，不易龜裂
