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MOCVD全稱是Metal-Organic Chemical Vapour Deposition（金屬有機化合物化學氣相沉積設備），是在氣相外延（VPE）的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術，是利用金屬有機化合物作為源物質的一種化學氣相淀積(CVD)工藝。利用MOCVD技術，許多納米層可以以極高的精度沉積，每一層都具有可控的厚度，以形成具有特定光學和電學特性的材料。MOCVD是用于LED芯片和功率器件制造的關鍵工藝技術，用于在藍寶石（Al2O3）襯底上外延生長，制作外延片。

MOCVD（金屬有機化合物化學氣相沉積）是用于在半導體晶圓上沉積超薄單晶體層。MOCVD對于半導體III-V化合物是最重要的制造工藝，尤其是這些基于氮化鎵的半導體。廣泛應用于包括半導體器件、光學器件、氣敏元件、超導薄膜材料、鐵電/鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。

MOCVD的優劣勢：

（1）用于生長化合物半導體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態的方式通入反應室，因此，可以通過精確控制氣態源的流量和通斷時間來控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等。可以用于生長薄層和超薄層材料。

（2）反應室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時，可以迅速進行改變，減小記憶效應發生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進行異質結構和超晶格、量子阱材料的生長。

（3）晶體生長是以熱解化學反應的方式進行的，是單溫區外延生長。只要控制好反應源氣流和溫度分布的均勻性，就可以保證外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長，便于工業化大批量生產。

（4）通常情況下，晶體生長速率與Ⅲ族源的流量成正比，因此，生長速率調節范圍較廣。較快的生長速率適用于批量生長。

（5）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進行包含該元素的材料的MOCVD生長。而可供選擇作為反應源的金屬有機化合物種類較多，性質也有一定的差別。

MOCVD技術的主要缺點大部分均與其所采用的反應源有關。首先是所采用的金屬有機化合物和氫化物源價格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險性，并且，反應后產物需要進行無害化處理，以避免造成環境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對反應過程進行仔細控制以避免引入非故意摻雜的雜質。