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mems加工技術(shù)工藝與ic工藝區(qū)別
點(diǎn)擊量:2913 日期:2020-06-08 編輯:硅時(shí)代
MEMS加工技術(shù)工藝是根據(jù)產(chǎn)品需要,在各類襯底(硅襯底,玻璃襯底,石英襯底,藍(lán)寶石襯底等等)制作微米級(jí)微型結(jié)構(gòu)的加工工藝。而ic工藝則側(cè)重于半導(dǎo)體器件的制作,其襯底基本以硅襯底為主,少數(shù)特殊器件會(huì)使用GaAs/GaN等材料,其工藝核心是為了制作高集成度的各類器件,目前已經(jīng)做到納米級(jí),特征尺寸更加精細(xì)。
MEMS加工技術(shù)工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等,其中更加器件原理需要而制作的可動(dòng)結(jié)構(gòu)(齒輪,懸臂梁,空腔,橋結(jié)構(gòu)等等)以及各種功能材料,本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)(溫度,壓力,氣體,流量等等)變化通過(guò)微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號(hào)(電壓,電阻,電流等等)的差異,以實(shí)現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。
ic工藝則側(cè)重各類半導(dǎo)體電學(xué)器件的加工,其工作都是圍繞各類電學(xué)性能展開(kāi),不涉及外界環(huán)境物理參數(shù),其要求重點(diǎn)是各類器件的高集成和高精度,加工尺寸根據(jù)摩爾定律有最初的微米級(jí)提升至目前的納米級(jí)。其涉及的各類材料更多的考量電學(xué)性能優(yōu)化,不關(guān)注環(huán)境參數(shù)。