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mems器件加工過(guò)程【硅時(shí)代】

點(diǎn)擊量:2714 日期:2020-12-18 編輯:硅時(shí)代

mems器件加工是根據(jù)產(chǎn)品需要,在各類襯底(硅襯底,玻璃襯底,石英襯底,藍(lán)寶石襯底等等)制作微米級(jí)微型結(jié)構(gòu)的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結(jié)構(gòu)主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等,其中更加器件原理需要而制作的可動(dòng)結(jié)構(gòu)(齒輪,懸臂梁,空腔,橋結(jié)構(gòu)等等)以及各種功能材料,本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)(溫度,壓力,氣體,流量等等)變化通過(guò)微型結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為各種電信號(hào)(電壓,電阻,電流等等)的差異,以實(shí)現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。

包括以下主要工藝步驟:

首先是薄膜沉積步驟(分為犧牲層和結(jié)構(gòu)層),包括熱氧化,CVDPVD,蒸發(fā)等常規(guī)IC工藝;

其次是定義圖像光刻工藝步驟;

最后是圖形轉(zhuǎn)移的刻蝕步驟,包括干法刻蝕和濕法刻蝕兩類;

以及犧牲層去除的釋放工藝,包括干法釋放和釋放釋放兩類

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