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微納加工氧化工藝目的-【硅時代】蘇州納米所微納加工平臺
點擊量:1350 日期:2020-05-22 編輯:硅時代
微納加工氧化工藝是在高溫下,襯底的硅直接與O2發生反應生成SiO2,后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面,繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度,生成1個單位厚度的SiO2薄膜,需要消耗0.445單位厚度的Si襯底;
相對CVD工藝而言,氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜,有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層,提高MEMS器件的可靠性。
同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比,提高刻蝕加工精度,制作更加精密的MEMS器件。
同時氧化工藝一般采用傳統的爐管設備來制作,成本低,產量大,一次作業100片以上,SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內。