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微納加工工藝的基本流程

點(diǎn)擊量:5703 日期:2020-03-20 編輯:硅時(shí)代

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊,基本流程如下:

表面加工基本流程如下:

第一步:沉積犧牲層材料;

第二步:光刻定義犧牲層圖形;

第三步:刻蝕完成犧牲層圖形轉(zhuǎn)移;

第四步: 沉積結(jié)構(gòu)材料;

第五步:光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形;

第六步:刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移;

第七步:釋放去除犧牲層,保留結(jié)構(gòu)層,完成微結(jié)構(gòu)制作;

體加工基本流程如下:

第一步:沉積保護(hù)層材料;

第二步:光刻定義保護(hù)圖形;

第三步:刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移;

第四步:腐蝕硅襯底,制作三維立體腔結(jié)構(gòu)

第五步:去除保護(hù)層材料;

以上出自蘇州硅時(shí)代,專注微納加工、微納代加工;行業(yè)經(jīng)驗(yàn)20年,有其它技術(shù)問(wèn)題歡迎討論咨詢。


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