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對于光刻機而言，最核心的技術就是光源，光刻機按光源技術進步次序可分為紫外光（UV）、深紫外光（DUV）、極紫外光（EUV）三大類。極紫外光刻 (Extreme Ultraviolet Lithography）技術即采用光源波長在極紫外波段范圍的光刻技術。

工作原理

EUV系統主要由四部分構成：

(1)極端紫外光源(2)反射投影系統(3)光刻模板(mask)(4)能夠用于極端紫外的光刻涂層(photo—resist)

EUV光刻原理如上圖所示：光源采用氣體噴射靶激光等離子體光源或同步輻射光工作氣體為氙 e)氣。利用激光能或電能轟擊靶材料產生等離子體，等離子體發EUV輻射，EUV輻射經過由周期性多層薄膜反射鏡組成的聚焦系統入射到反射掩模上．出的EUV光波再通過反射鏡組成的投影系統，將反射掩模上的集成電路的幾何圖形成像到硅片上的光刻膠中，從而形成集成電路所需要的光刻圖形。

產生極紫外光源的方法主要有激光致等離子體技術（LPP）和放電等離子體技術(DPP）兩種。采用 EUV 進行光刻的主要難點是光學輸出功率太低而影響產出率，EUV 光刻所需的光刻膠、掩模版、掩模版保護膜等技術難度均極大。所有的光學調制都需要通過鏡像系統來實現，但是通常材料對極紫外短波的能量吸收率很高，使得無法制備傳統的光學透視鏡頭來實現調制。為了使掩模版有效地反射波長為 13.5nm 的 EUV，需要在作為反射鏡的石英掩模襯底上覆蓋多達50層的 Mo/Si 薄膜。

此外，掩模版的缺陷的光學檢測極為困難。通常，光學檢測可以獲得表面缺陷和相缺陷引起的所有轉印缺陷，但是由于 EUV 的多層掩模結構，使得這些缺陷被埋在多層薄膜的下面。目前，光學方式 EUV 掩模檢測技術仍處于萌芽階段，所以光掩模檢測和電子束光刻版檢測僅停留在可用于 EUV 光刻技術的開發和實驗階段。

當前全球能夠制造EUV光刻機的企業只有荷蘭ASML一家企業，日本的佳能、尼康和中國上海微電子僅能制造DUV光刻機。荷蘭ASML公司的EUV光刻機采用的是美國研發提供的13.5nm極紫外光源為工作波長的投影光刻技術，中國DUV光刻機使用的是波長193nm深紫外光源技術。

如果在7nm/5nm以下技術代僅使用浸沒式光刻，大量圖形層必須采用雙重甚至多重曝光，這將導致光掩模版數量及光刻次數的成倍上升。如果采用 EUV 光刻技術，7nm 節點幾乎所有的圖形層都僅需單次曝光即可完成，可減少20層以上掩模版，以而減小工藝復雜度，降低生產成本，提高成品率，縮短產品研發周期。

由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強．同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。EUV(極紫外線光刻技術)是下一代光刻技術(<32nm節點的光刻技術)。它是采用波長為13．4nm的軟X射線進行光刻的技術。EUV光刻的基本設備方面仍需開展大量開發工作以達到適于量產的成熟水平。目前存在以下挑戰：

(1)開發功率足夠高的光源并使系統具有足夠的透射率，以實現并保持高吞吐量。

(2)掩模技術的成熟。包括以足夠的平面度和良率制造反射掩模襯底，反射掩模的光化學檢測，以及因缺少掩模表面的保護膜而難以滿足無缺陷操作要求。

(3)開發高靈敏度且具有低線邊緣粗糙度(Line Edge Roughness，LER1的光刻膠。