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顯影技術
點擊量：590 日期：2023-09-04 編輯：硅時代
顯影是在硅片表面光刻膠中產生圖形的關鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學顯影劑溶解，將可見的島或者窗口圖形留在硅片表面。最常見的顯影方法是旋轉、噴霧、浸潤，然后顯影。硅片用去離子水沖洗后甩干。顯影過程如圖 所示，非曝光區的光刻膠由于在曝光時并未發生化學反應，在顯影時也就不會存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區的光刻膠被保留下來。經過曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應只在光刻膠的表面進行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。對于負膠來說非曝光區的負膠在顯影液中首先形成凝膠體，然后再分解，這就使得整個負膠層都被顯影液浸透。在被顯影液浸透之后，曝光區的負膠將會膨脹變形。
顯影后留下的光刻膠圖形將在后續的刻蝕和離子注入工藝中作為掩模，因此，顯影是一步重要的工藝。嚴格的說，在顯影時曝光區和非曝光區的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區與非曝光區的光刻膠溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形對比度越高。
顯影液是溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域的一種化學溶劑 。對于負顯影工藝，顯影液通常是一種有機溶劑，如二甲苯 。對于正顯影工藝，顯影液是一種用水稀釋的強堿溶液，早期的是氫氧化鉀與水的混合物，但這兩種都包含了可動離子玷污(MIC)。最普通的是四甲基氫氧化銨(TMAH) 。
目前歐美和日本企業憑借技術優勢，占據了濕電子化學品全球市場主導地位。
雖國內廠商產品主要集中在中低端產品，與世界整體水平還有一定距離，但近年來包括格林達在內的國內濕電子化學品企業持續技術創新，在細分產品領域具有一定的市場集中度，已接近國際領先水平。
