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（二）硅表面微機械加工技術

美國加州大學Berkeley分校的Sensor and Actuator小組首先完成了三層多晶硅表面微機械加工工藝，確立了硅表面微加工工藝的體系。

表面微機械加工是把MEMS的“機械”（運動或傳感）部分制作在沉積于硅晶體的表面膜（如多晶硅、氮化硅等）上，然后使其局部與硅體部分分離，呈現可運動的機構。分離主要依靠犧牲層（Sacrifice Layer）技術，即在硅襯底上先沉積上一層最后要被腐蝕（犧牲）掉的膜（如SiO2可用HF腐蝕），再在其上淀積制造運動機構的膜，然后用光刻技術制造出機構圖形和腐蝕下面膜的通道，待一切完成后就可以進行犧牲層腐蝕而使微機構自由釋放出來。

硅表面微機械加工技術包括制膜工藝和薄膜腐蝕工藝。制膜工藝包括濕法制膜和干式制膜。濕法制膜包括電鍍（LIGA工藝）、澆鑄法和旋轉涂層法、陽極氧化工藝。其中LIGA工藝是利用光制造工藝制作高寬比結構的方法，它利用同步輻射源發出的X射線照射到一種特殊的PMMA感光膠上獲得高寬比的鑄型，然后通過電鍍或化學鍍的方法得到所要的金屬結構。干式制膜主要包括CVD（Chemical Vapor Deposition）和PVD（Physical Vapor Deposition）。薄膜腐蝕工藝主要是采用濕法腐蝕，所以要選擇合適的腐蝕液。

（三）結合技術

微加工工藝中有時需要將兩塊微加工后的基片粘結起來，可以獲得復雜的結構，實現更多的功能。將基片結合起來的辦法有焊接、融接、壓接（固相結合）、粘接、陽極鍵合、硅直接鍵合、擴散鍵合等方法。

（四）逐次加工

逐次加工是同時加工工藝的補充，常用于模具等復雜形狀的加工，其優點是容易制作自由形狀，可對非平面加工，缺點是加工時間很長，屬單件生產，成本高。包括以下幾種：

逐次除去加工：如用于硅片切割的砂輪加工；細微放電加工、激光束加工、離子束加工、STM（掃描隧道顯微鏡）加工。

逐次附著加工：如利用離子束CVD技術，可使僅被照射部分的材料堆積，形成某種結構。

逐次改質加工：比如可以利用電子束或激光照射的辦法使基板表面局部改質的技術，它的應用有電子束掩膜制作、非平面光刻、局部摻雜等。

逐次結合加工：比如IC引線焊接、局部粘結等。