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ICP刻蝕的基本要求
點(diǎn)擊量:794 日期:2023-07-24 編輯:硅時(shí)代
刻蝕中還存在負(fù)載效應(yīng),即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。刻蝕面積很大時(shí),因?yàn)闅怏w傳輸受限和刻蝕氣體耗盡,刻蝕速率會(huì)較慢,這稱為宏觀負(fù)載效應(yīng)。在微細(xì)圖形的局部區(qū)域內(nèi), 被刻蝕材料的密度過高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負(fù)載效應(yīng)。
(2)圖形保真度
設(shè)橫向刻蝕速率為V1,縱向刻蝕速率為V2,通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度,定義如下:
A=1,表示圖形轉(zhuǎn)移中沒有失真, 刻蝕具有很好的各向異性。A=0,圖形失真情況嚴(yán)重,刻蝕為各向同性。
(3)均勻性
在材料制備時(shí), 薄膜厚度一般有一定的不均勻性, 而刻蝕時(shí)同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會(huì)造成圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。
刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設(shè)備的硬件參數(shù), 如反應(yīng)室的設(shè)置, 氣流, 離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數(shù)的影響。
對(duì)于大襯底的刻蝕, 如果刻蝕時(shí)間不夠, 膜厚處沒有刻蝕完全;但是刻蝕時(shí)間太長(zhǎng),膜薄處會(huì)造成過刻蝕,實(shí)際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層,截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料, 這樣可以加長(zhǎng)刻蝕時(shí)間, 保證膜厚處被刻蝕干凈,膜薄處也不會(huì)造成明顯的過刻蝕。
除了同一樣片不同位置的均勻性問題, 同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性(也稱重復(fù)性)也很重要。重復(fù)性與反應(yīng)室的狀況有很大的關(guān)聯(lián)性。
(4)表面形貌
一般情況下, 刻蝕后的表面形貌都希望側(cè)壁陡直光滑, 刻蝕地面平滑。但對(duì)于不同的器件有時(shí)也有特殊要求,如需傾斜剖面、微透鏡結(jié)構(gòu)等。
(5)刻蝕的清潔
刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現(xiàn)重金屬沾污也會(huì)造成漏電。對(duì)于干法刻蝕,刻蝕表面還會(huì)出現(xiàn)聚合物的再淀積。